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三星Galaxy S10被曝将搭载LPDDR5 RAM内存和UFS 3.0闪存

  • 2019-09-22

据国外爆料人Samsung_News_的消息,三星Galaxy S10将搭载LPDDR5 RAM。去年夏季,三星宣布开发出首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10nm~20nm)工艺,单晶片容量8Gb。除了速度的提升,LPDDR5内存芯片相较LPDDR4X,功耗还减少了30%,可以说十分优秀。


三星Galaxy S10被曝将搭载LPDDR5 RAM内存和UFS 3.0闪存


不过,这份爆料需要谨慎看待,因为去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5内存计划2020年商用,只是当时倒是说,UFS 3.0闪存会在今年上半年商用,首批解决方案涵盖供128GB、256GB和512GB三种容量,最大数据传输速率为2000MB/s。


从这个角度来看,S10搭载UFS 3.0的可能性比LPDDR5更高,毕竟骁龙855公布的参数中也只提到了对UFS 3.0的支持。


三星已经宣布,将于北京时间2月21日凌晨3点发布Galaxy S10系列新品,华尔街称,三星还会在本次活动上同时展示软硬件开发完成的折叠屏手机预量产机。


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